CSD17581Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT CSD17581Q3A TCSD17581q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 50.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17581Q3A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17581Q3A за ціною від 15.58 грн до 77.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17581Q3A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17581Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17581Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17581Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17581Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |