CSD17581Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT CSD17581Q3A TCSD17581q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 51.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17581Q3A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17581Q3A за ціною від 15.46 грн до 76.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17581Q3A | Texas Instruments |
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17581Q3A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD17581Q3A |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.47 грн |
| 10+ | 46.76 грн |
| 100+ | 26.65 грн |
| 500+ | 20.64 грн |
| 1000+ | 18.71 грн |
| 2500+ | 16.50 грн |
| 5000+ | 15.46 грн |
| CSD17581Q3A |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.89 грн |
| 10+ | 46.59 грн |
| 100+ | 30.51 грн |