CSD17581Q3AT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 41.09 грн |
500+ | 33.86 грн |
1250+ | 27.58 грн |
2500+ | 24.37 грн |
6250+ | 23.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17581Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17581Q3AT за ціною від 24.18 грн до 73.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD17581Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm Case: VSONP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 20nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
на замовлення 11460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 30V N-Channel NexFET |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm Case: VSONP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 20nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD17581Q3AT Код товару: 177865 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD17581Q3AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |