CSD18501Q5A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18501Q5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD18501Q5A за ціною від 53.06 грн до 192.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 3367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18501Q5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V |
на замовлення 13282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 150W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD18501Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |