CSD18502KCS Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 73.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18502KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 259W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18502KCS за ціною від 65.43 грн до 187.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18502KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 259W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18502KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 212A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18502KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 259W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD18502KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V |
товар відсутній |