CSD18502Q5B Texas Instruments
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.07 грн |
| 10+ | 153.50 грн |
| 100+ | 103.43 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| 1000+ | 81.06 грн |
| 2500+ | 71.28 грн |
| 10000+ | 70.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18502Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18502Q5B за ціною від 174.61 грн до 174.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 20, Qg, нКл = 68 @ 10, Rds = 2,3 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| CSD18502Q5B | Виробник : TI |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |


