
CSD18502Q5B Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 79.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18502Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18502Q5B за ціною від 75.90 грн до 275.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 6628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18502Q5B | Виробник : TI |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
CSD18502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |