CSD18503Q5A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 55.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18503Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD18503Q5A за ціною від 39.07 грн до 158.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CSD18503Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 121A; 120W; VSONP8; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 121A Power dissipation: 120W Case: VSONP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 32nC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.56 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.47 грн |
| 10+ | 85.41 грн |
| 100+ | 60.39 грн |
| 500+ | 48.01 грн |
| 1000+ | 44.13 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.66 грн |
| 10+ | 100.03 грн |
| 100+ | 58.89 грн |
| 500+ | 46.87 грн |
| 1000+ | 43.08 грн |
| 2500+ | 39.07 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 121A; 120W; VSONP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 32nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 121A; 120W; VSONP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 32nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 46.09 грн |