CSD18503Q5A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18503Q5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18503Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD18503Q5A за ціною від 48.79 грн до 156.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 54.48 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 57.30 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.41 грн |
| 10+ | 96.25 грн |
| 50+ | 72.84 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 48.79 грн |
| CSD18503Q5A |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)