CSD18504KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 466+ | 43.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18504KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18504KCS за ціною від 37.19 грн до 119.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18504KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18504KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18504KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 575 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18504KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18504KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V |
товар відсутній |