Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18504KCS
CSD18504KCS

CSD18504KCS Texas Instruments

slps365b.pdf
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+57.19 грн
2000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18504KCS Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 93, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9, Verlustleistung: 93, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції CSD18504KCS за ціною від 56.58 грн до 172.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD18504KCS CSD18504KCS Texas Instruments slps365b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.19 грн
2000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS Texas Instruments slps365b.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS TEXAS INSTRUMENTS slps365b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 115W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.49 грн
10+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS Texas Instruments slps365b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS Texas Instruments slps365b.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.06 грн
50+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS Texas Instruments slps365b.pdf MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+57.19 грн
2000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 115W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.49 грн
10+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
398+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.06 грн
50+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365b.pdf
CSD18504KCS
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.