CSD18504Q5AT Texas Instruments
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 55.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18504Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18504Q5AT за ціною від 49.27 грн до 205.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18504Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18504Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V |
на замовлення 4765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18504Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD18504Q5A |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18504Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18504Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD18504Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: VSONP8 Gate charge: 7.7nC Dimensions: 5x6mm On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Power dissipation: 77W Technology: NexFET™ |
товару немає в наявності |