
CSD18509Q5B Texas Instruments
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 76.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18509Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18509Q5B за ціною від 68.40 грн до 236.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V |
на замовлення 4375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18509Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |