CSD18509Q5B

CSD18509Q5B Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18509Q5B Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CSD18509Q5B за ціною від 68.40 грн до 236.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b MOSFETs 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD18509Q5BT
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.61 грн
10+151.08 грн
100+92.47 грн
500+76.33 грн
1000+70.46 грн
2500+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.58 грн
10+147.78 грн
100+102.30 грн
500+77.78 грн
1000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments slps476.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5B CSD18509Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.