CSD18509Q5BT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.63 грн
11+71.19 грн
25+67.97 грн
100+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18509Q5BT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD18509Q5BT за ціною від 82.65 грн до 285.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+110.96 грн
500+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+116.47 грн
500+103.40 грн
750+98.93 грн
1250+88.14 грн
1750+85.35 грн
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+143.71 грн
500+125.63 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+145.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+172.92 грн
500+154.01 грн
1000+135.00 грн
2500+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.46 грн
10+179.99 грн
100+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+110.96 грн
500+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+116.47 грн
500+103.40 грн
750+98.93 грн
1250+88.14 грн
1750+85.35 грн
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+143.71 грн
500+125.63 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+145.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+172.92 грн
500+154.01 грн
1000+135.00 грн
2500+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.46 грн
10+179.99 грн
100+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.