CSD18510KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.16 грн |
| 50+ | 102.09 грн |
| 100+ | 83.99 грн |
| 500+ | 66.7 грн |
| 1000+ | 56.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510KCS за ціною від 52.87 грн до 141.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.7 mOhm 3-TO-220 -55 to 175 |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Kind of package: tube Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Kind of package: tube Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |