Інші пропозиції CSD18510KCS за ціною від 65.04 грн до 200.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KCS | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18510KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18510KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18510KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 75.35 грн |
| CSD18510KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.99 грн |
| 10+ | 125.09 грн |
| 50+ | 95.55 грн |
| 100+ | 80.72 грн |
| 500+ | 65.04 грн |
| CSD18510KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)