CSD18510KCS Texas Instruments
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 63.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510KCS за ціною від 59.37 грн до 158.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CSD18510KCS Код товару: 204826
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 400A |
товару немає в наявності |