CSD18510KTT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.79 грн |
| 10+ | 140.36 грн |
| 100+ | 102.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510KTT за ціною від 63.92 грн до 208.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510KTTT |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18510KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18510KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A |
товару немає в наявності |