Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18510KTTT
CSD18510KTTT

CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.09 грн
7+ 121.7 грн
10+ 121 грн
19+ 115.44 грн
50+ 111.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 274A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm.

Інші пропозиції CSD18510KTTT за ціною від 69.86 грн до 201.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DDPAK/TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 11050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+145.52 грн
100+ 115.3 грн
250+ 112.34 грн
500+ 91.55 грн
1250+ 77.68 грн
2500+ 73.8 грн
5000+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+170.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DDPAK/TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.27 грн
10+ 144.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.06 грн
10+ 156.62 грн
100+ 110.82 грн
250+ 105.48 грн
500+ 93.47 грн
1000+ 80.11 грн
2500+ 75.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.31 грн
3+ 173.32 грн
7+ 146.04 грн
10+ 145.21 грн
19+ 138.53 грн
50+ 133.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній