Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18510KTTT
CSD18510KTTT

CSD18510KTTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+121.34 грн
100+100.78 грн
150+96.03 грн
250+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18510KTTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD18510KTTT за ціною від 90.43 грн до 285.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.26 грн
10+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT CSD18510KTTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+122.26 грн
50+106.31 грн
100+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
10+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.26 грн
10+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.11 грн
10+122.26 грн
50+106.31 грн
100+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.