CSD18510Q5B Texas Instruments
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 85.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510Q5B за ціною від 94.02 грн до 125.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSONPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
CSD18510Q5B Код товару: 196757
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
CSD18510Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5BT |
товару немає в наявності |