CSD18510Q5BT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 125.00 грн |
| 500+ | 111.14 грн |
| 750+ | 106.44 грн |
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Технічний опис CSD18510Q5BT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD18510Q5BT за ціною від 135.30 грн до 302.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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CSD18510Q5BT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CSD18510Q5BT | Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
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CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
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CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD18510Q5BT |
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Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.66 грн |
| 10+ | 191.89 грн |
| 100+ | 135.30 грн |
| CSD18510Q5BT |
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Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD18510Q5BT |
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Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSD18510Q5BT |
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Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)