CSD18511KTT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.07 грн |
| 10+ | 101.22 грн |
| 100+ | 80.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18511KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18511KTT за ціною від 47.51 грн до 165.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18511KTTT |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18511KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18511KTT SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
CSD18511KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |