CSD18511Q5AT Texas Instruments
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.98 грн |
11+ | 55.67 грн |
25+ | 55.41 грн |
100+ | 46.59 грн |
250+ | 39.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18511Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD18511Q5AT за ціною від 39.59 грн до 109.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 9404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18511Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm |
товар відсутній |