CSD18512Q5B

CSD18512Q5B Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.32 грн
5000+57.95 грн
10000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18512Q5B Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CSD18512Q5B за ціною від 52.66 грн до 151.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+74.08 грн
180+67.81 грн
182+67.13 грн
197+59.58 грн
250+55.06 грн
500+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.38 грн
10+72.66 грн
25+71.93 грн
100+63.92 грн
250+59.00 грн
500+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18512Q5BT
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.64 грн
10+86.19 грн
25+74.20 грн
100+63.76 грн
250+63.31 грн
500+57.22 грн
1000+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.10 грн
10+100.36 грн
100+77.59 грн
500+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18512Q5B CSD18512Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.