CSD18512Q5B Texas Instruments
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.01 грн |
| 5000+ | 50.23 грн |
| 10000+ | 48.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18512Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18512Q5B за ціною від 48.90 грн до 165.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18512Q5BT |
на замовлення 3869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |