Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18514Q5AT
CSD18514Q5AT

CSD18514Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+57.41 грн
500+50.36 грн
750+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18514Q5AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CSD18514Q5AT за ціною від 39.21 грн до 151.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.12 грн
6+82.27 грн
25+73.12 грн
100+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A
на замовлення 19126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+94.47 грн
100+43.97 грн
500+40.73 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.26 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+118.12 грн
6+82.27 грн
25+73.12 грн
100+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A
на замовлення 19126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.19 грн
10+94.47 грн
100+43.97 грн
500+40.73 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.44 грн
10+93.26 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.