CSD18514Q5AT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 64.72 грн |
500+ | 53.34 грн |
1250+ | 43.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18514Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18514Q5AT за ціною від 37.32 грн до 148.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 19560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSONP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSONP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 904 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD18514Q5AT | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |