Технічний опис CSD18532KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18532KCS за ціною від 56.79 грн до 184.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18532KCS | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Texas Instruments |
60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD18532KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18532KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 173+ | 81.74 грн |
| CSD18532KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS
кількість в упаковці: 10 шт
60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 94.55 грн |
| CSD18532KCS |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 167.61 грн |
| 10+ | 112.97 грн |
| 50+ | 92.05 грн |
| CSD18532KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.57 грн |
| 50+ | 91.17 грн |
| 100+ | 81.04 грн |
| 500+ | 65.12 грн |
| 1000+ | 60.14 грн |
| 2000+ | 56.79 грн |
| CSD18532KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CSD18532KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs
MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)