Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18532Q5B
CSD18532Q5B

CSD18532Q5B Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+64.45 грн
5000+58.32 грн
7500+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18532Q5B Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD18532Q5B за ціною від 66.62 грн до 233.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD18532Q5B CSD18532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+131.92 грн
100+91.15 грн
500+69.19 грн
1000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B CSD18532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b MOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT
на замовлення 45366 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
2+221.48 грн
10+142.11 грн
100+85.60 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B CSD18532Q5B TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.57 грн
10+151.41 грн
100+104.70 грн
500+80.77 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
CSD18532Q5B
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.24 грн
10+131.92 грн
100+91.15 грн
500+69.19 грн
1000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
CSD18532Q5B
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT
на замовлення 45366 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.48 грн
10+142.11 грн
100+85.60 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
CSD18532Q5B
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.57 грн
10+151.41 грн
100+104.70 грн
500+80.77 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.