CSD18532Q5B Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 67.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18532Q5B Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD18532Q5B за ціною від 66.20 грн до 221.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18532Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18532Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD18532Q5BT |
на замовлення 12131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30; Qg, нКл = 58 @ 10; Rds = 3,2 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 156; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerTDFN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |