CSD18532Q5BT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 117.48 грн |
| 750+ | 99.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
250 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18532Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18532Q5BT за ціною від 119.67 грн до 317.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD18532Q5BT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD18532Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD18532Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD18532Q5BT | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18532Q5BT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.77 грн |
| 10+ | 182.08 грн |
| 50+ | 140.82 грн |
| 100+ | 119.67 грн |
| CSD18532Q5BT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 317.68 грн |
| 10+ | 223.02 грн |
| CSD18532Q5BT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 317.68 грн |
| CSD18532Q5BT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B
MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)