CSD18533KCS Texas Instruments
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 52.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18533KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3025 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18533KCS за ціною від 51.73 грн до 199.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18533KCS | Виробник : Texas Instruments |
 MOSFETs 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT .. |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD18533KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55°C ~ 175°C; CSD18533KCS TCSD18533kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CSD18533KCS Код товару: 121207
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
CSD18533KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18533KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD18533KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3025 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD18533KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товару немає в наявності |