Технічний опис CSD18534KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc).
Інші пропозиції CSD18534KCS за ціною від 39.62 грн до 112.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18534KCS | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD18534KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
CSD18534KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD18534KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.62 грн |
| 50+ | 55.58 грн |
| 100+ | 52.61 грн |
| 500+ | 39.62 грн |
| CSD18534KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET
MOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD18534KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)