CSD18535KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.71 грн |
| 50+ | 149.85 грн |
| 100+ | 128.45 грн |
| 500+ | 107.15 грн |
| 1000+ | 91.75 грн |
| 2000+ | 86.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18535KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18535KCS за ціною від 88.12 грн до 239.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18535KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 2 mOhm 3-TO-220 -55 to 175 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 63-72 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18535KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 246 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD18535KCS Код товару: 196763 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |