CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.59 грн |
| 7+ | 136.82 грн |
| 19+ | 128.87 грн |
| 50+ | 128.07 грн |
| 100+ | 124.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18535KCS за ціною від 100.04 грн до 314.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18535KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Kind of package: tube Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 1.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD18535KCS Код товару: 196763
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD18535KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |