Інші пропозиції CSD18535KCS за ціною від 77.82 грн до 284.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 1.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 |
на замовлення 206 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18535KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18535KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD18535KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.30 грн |
| 10+ | 153.73 грн |
| 50+ | 129.63 грн |
| CSD18535KCS |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.84 грн |
| 50+ | 126.02 грн |
| 100+ | 114.17 грн |
| 500+ | 87.65 грн |
| 1000+ | 81.39 грн |
| 2000+ | 77.82 грн |
| CSD18535KCS |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 284.31 грн |
| 10+ | 175.45 грн |
| 100+ | 120.81 грн |
| 500+ | 105.62 грн |
| 1000+ | 94.58 грн |
| 2500+ | 92.51 грн |
| 5000+ | 90.43 грн |




