Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18535KTT
CSD18535KTT

CSD18535KTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+127.79 грн
1000+106.39 грн
2500+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18535KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V.

Інші пропозиції CSD18535KTT за ціною від 97.61 грн до 294.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.08 грн
10+176.21 грн
100+132.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18535KTTT
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.54 грн
10+195.81 грн
100+121.83 грн
500+115.96 грн
1000+105.68 грн
2500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT CSD18535KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.