CSD18536KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 207.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18536KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18536KCS за ціною від 218.15 грн до 369.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
CSD18536KCS Код товару: 196562
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||
|
|
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
CSD18536KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
CSD18536KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товару немає в наявності |