Інші пропозиції CSD18536KCS за ціною від 129.40 грн до 388.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Power dissipation: 375W Gate charge: 83nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 200A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18536KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18536KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18536KCS |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.68 грн |
| 3+ | 260.46 грн |
| 10+ | 225.67 грн |
| 25+ | 194.28 грн |
| 50+ | 186.65 грн |
| CSD18536KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 388.54 грн |
| 50+ | 195.26 грн |
| 100+ | 177.94 грн |
| 500+ | 138.53 грн |
| 1000+ | 129.40 грн |
| CSD18536KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)