Інші пропозиції CSD18536KTT за ціною від 134.08 грн до 391.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KTT | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
CSD18536KTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
CSD18536KTT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
CSD18536KTT | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
CSD18536KTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| CSD18536KTT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 154.54 грн |
| 1000+ | 139.05 грн |
| 1500+ | 134.08 грн |
| CSD18536KTT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.24 грн |
| CSD18536KTT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 391.03 грн |
| 10+ | 250.56 грн |
| 100+ | 179.23 грн |
| CSD18536KTT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD18536KTT |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)