CSD18536KTT

CSD18536KTT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+186.33 грн
1000+ 153.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18536KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V.

Інші пропозиції CSD18536KTT за ціною від 142.61 грн до 348.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.24 грн
10+ 249.55 грн
100+ 201.85 грн
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+323.9 грн
10+ 269.95 грн
25+ 260.54 грн
100+ 204.81 грн
250+ 142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 1.6 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.98 грн
10+ 276.87 грн
25+ 232.84 грн
100+ 194.58 грн
250+ 188.65 грн
500+ 172.16 грн
1000+ 148.41 грн
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+348.82 грн
40+ 290.72 грн
41+ 280.58 грн
100+ 220.56 грн
250+ 153.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
CSD18536KTT CSD18536KTT
Код товару: 115067
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18536KTT CSD18536KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товар відсутній
CSD18536KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
On-state resistance: 2.2mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18536KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
On-state resistance: 2.2mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній