CSD18536KTT Texas Instruments
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 170.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18536KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18536KTT за ціною від 145.66 грн до 363.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT |
на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
CSD18536KTT Код товару: 115067
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18536KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
CSD18536KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| CSD18536KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK |
товару немає в наявності |