Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18536KTTT
CSD18536KTTT

CSD18536KTTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+265.65 грн
100+234.41 грн
150+223.49 грн
250+198.23 грн
350+191.42 грн
500+184.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18536KTTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V.

Інші пропозиції CSD18536KTTT за ціною від 194.89 грн до 561.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.25 грн
10+293.33 грн
50+240.58 грн
100+222.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.35 грн
10+322.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.99 грн
10+270.01 грн
50+234.79 грн
100+194.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.90 грн
10+365.54 грн
50+288.70 грн
100+266.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 А; Ptot, Вт = 375; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30; Qg, нКл = 140 @ 10 В; Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА; Id2 = 279 А; D2PAK
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.