CSD18536KTTT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 248.57 грн |
| 100+ | 219.34 грн |
| 150+ | 209.12 грн |
| 250+ | 185.48 грн |
| 350+ | 179.11 грн |
| 500+ | 172.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18536KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD18536KTTT за ціною від 175.35 грн до 514.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KTTT | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
CSD18536KTTT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| CSD18536KTTT | Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| CSD18536KTTT |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 453.44 грн |
| 10+ | 242.93 грн |
| 50+ | 211.24 грн |
| 100+ | 175.35 грн |
| CSD18536KTTT |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 464.43 грн |
| 10+ | 301.62 грн |
| CSD18536KTTT |
|
Виробник: Texas Instruments
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 514.00 грн |
| 100+ | 440.58 грн |