CSD18536KTTT Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 249.83 грн |
| 100+ | 220.45 грн |
| 150+ | 210.18 грн |
| 250+ | 186.42 грн |
| 350+ | 180.02 грн |
| 500+ | 173.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18536KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18536KTTT за ціною від 176.23 грн до 502.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18536KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 108nC On-state resistance: 2.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 200A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 375W Pulsed drain current: 400A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD18536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| CSD18536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Група товару: Транзистори Кор кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
CSD18536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
CSD18536KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |