Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18537NQ5A
CSD18537NQ5A

CSD18537NQ5A Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.66 грн
5000+21.09 грн
7500+20.22 грн
12500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD18537NQ5A Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD18537NQ5A за ціною від 22.13 грн до 89.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.70 грн
19+40.93 грн
25+40.60 грн
100+33.30 грн
250+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 25535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.94 грн
10+54.37 грн
100+35.96 грн
500+26.35 грн
1000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A CSD18537NQ5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
348+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.70 грн
19+40.93 грн
25+40.60 грн
100+33.30 грн
250+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 25535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.94 грн
10+54.37 грн
100+35.96 грн
500+26.35 грн
1000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.