CSD18537NQ5A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.21 грн |
| 5000+ | 22.21 грн |
| 12500+ | 21.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NQ5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NQ5A за ціною від 20.97 грн до 68.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 14323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 10362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |