CSD18537NQ5A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.55 грн |
| 5000+ | 21.32 грн |
| 7500+ | 20.94 грн |
| 12500+ | 18.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NQ5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD18537NQ5A за ціною від 21.06 грн до 83.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 7915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 12934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |