CSD18537NQ5AT TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 60.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NQ5AT TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NQ5AT за ціною від 42.78 грн до 164.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 75W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 3863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |


