CSD18537NQ5AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 57.83 грн |
| 500+ | 50.78 грн |
| 750+ | 48.28 грн |
| 1250+ | 42.67 грн |
| 1750+ | 41.10 грн |
| 2500+ | 39.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NQ5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NQ5AT за ціною від 38.24 грн до 152.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 3863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
CSD18537NQ5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |