CSD18540Q5B Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.25 грн |
| 10+ | 144.35 грн |
| 100+ | 110.13 грн |
| 500+ | 82.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18540Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18540Q5B за ціною від 75.89 грн до 262.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD18540Q5BT |
на замовлення 17079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5bкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18540Q5B Код товару: 133320
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18540Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
товару немає в наявності |

