CSD18540Q5BT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 141.56 грн |
| 500+ | 121.54 грн |
| 750+ | 112.81 грн |
| 1250+ | 92.84 грн |
| 1750+ | 90.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18540Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18540Q5BT за ціною від 96.68 грн до 318.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD18540Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18540Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD18540Q5B |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18540Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18540Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD18540Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm |
товару немає в наявності |