
CSD18542KCS TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 181.56 грн |
9+ | 104.22 грн |
24+ | 98.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18542KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18542KCS за ціною від 66.43 грн до 217.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18542KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18542KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |