CSD18542KCS Texas Instruments
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 102.07 грн |
| 1000+ | 90.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
750 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18542KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18542KCS за ціною від 72.65 грн до 223.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18542KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 Power dissipation: 200W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 200A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD18542KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD18542KCS |
|
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Power dissipation: 200W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Power dissipation: 200W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 159.53 грн |
| 10+ | 110.89 грн |
| 50+ | 97.35 грн |
| CSD18542KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.11 грн |
| 10+ | 138.96 грн |
| 50+ | 106.37 грн |
| 100+ | 89.95 грн |
| 500+ | 72.65 грн |