Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18542KTT

CSD18542KTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt

Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис CSD18542KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V.

Інші пропозиції CSD18542KTT

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
CSD18542KTT	Texas Instruments	Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
CSD18542KTT	Texas Instruments	MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
CSD18542KTT	TEXAS INSTRUMENTS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 200A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.
CSD18542KTT	Texas Instruments	Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.
CSD18542KTT	Texas Instruments	Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.
CSD18542KTT	Texas Instruments	Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

CSD18542KTT

Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.