CSD18543Q3A Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.62 грн |
| 5000+ | 18.34 грн |
| 7500+ | 17.56 грн |
| 12500+ | 15.66 грн |
| 17500+ | 15.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18543Q3A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18543Q3A за ціною від 18.85 грн до 89.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18543Q3A | Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
на замовлення 20315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18543Q3A | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD18543Q3A |
|
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.58 грн |
| CSD18543Q3A |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 20315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.99 грн |
| 10+ | 48.09 грн |
| 100+ | 31.66 грн |
| 500+ | 23.09 грн |
| 1000+ | 20.95 грн |
| CSD18543Q3A |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.40 грн |
| 10+ | 55.41 грн |
| 100+ | 31.76 грн |
| 500+ | 24.51 грн |
| 1000+ | 22.16 грн |
| 2500+ | 20.30 грн |
| 5000+ | 18.85 грн |