CSD18543Q3AT Texas Instruments
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 49.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18543Q3AT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD18543Q3AT за ціною від 41.65 грн до 161.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI) |
MOSFET N-CH 60V 8VSON |
на замовлення 146 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
CSD18543Q3AT Код товару: 126797
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |