Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD18543Q3AT

CSD18543Q3AT Texas Instruments

Name: CSD18543Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 134136-7
Price: 12042.50 UAH
Availability: InStock

Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	48.17 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис CSD18543Q3AT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD18543Q3AT за ціною від 36.13 грн до 151.79 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	66.09 грн
500+	53.70 грн
750+	49.87 грн
1250+	42.16 грн
1750+	40.60 грн
2500+	39.08 грн
6250+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	88.53 грн
10+	77.27 грн
25+	51.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	126.49 грн
10+	84.12 грн
15+	62.69 грн
41+	59.52 грн
100+	57.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V

на замовлення 7184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.56 грн
10+	84.68 грн
100+	63.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	142.73 грн
10+	94.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A

на замовлення 3304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	147.55 грн
10+	96.38 грн
100+	56.38 грн
500+	49.29 грн
1000+	45.94 грн
2500+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

на замовлення 273 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	151.79 грн
10+	104.83 грн
15+	75.23 грн
41+	71.42 грн
100+	68.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments Incorporated (TI)

MOSFET N-CH 60V 8VSON

на замовлення 146 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT
Код товару: 126797

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CSD18543Q3AT

Виробник : Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.