CSD18543Q3AT Texas Instruments
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 41.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18543Q3AT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -888, MSL: -999, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CSD18543Q3AT за ціною від 36.01 грн до 107.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 66W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 9.9 mOhm 8-VSONP -55 to 150 |
на замовлення 8232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
на замовлення 10097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 66W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 909 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
CSD18543Q3AT Код товару: 126797 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
CSD18543Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |