Технічний опис CSD18563Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18563Q5A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18563Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT |
на замовлення 7364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18563Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT
на замовлення 7364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




