CSD18563Q5AT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 53.46 грн |
| 500+ | 46.98 грн |
| 750+ | 44.68 грн |
| 1250+ | 41.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18563Q5AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18563Q5AT за ціною від 47.62 грн до 143.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 11901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD18563Q5A |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CSD18563Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18563Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD18563Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товару немає в наявності |