CSD19501KCS Texas Instruments
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 750+ | 83.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19501KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 217W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V.
Інші пропозиції CSD19501KCS за ціною від 69.13 грн до 252.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,9mOhm; 129A; 217W; -55°C ~ 175°C; CSD19501KCS TCSD19501kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD19501KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19501KCS THT N channel transistors |
на замовлення 109 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19501KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |