CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 146.89 грн |
| 10+ | 94.56 грн |
| 50+ | 78.66 грн |
| 100+ | 72.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19503KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 188, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, Verlustleistung: 188, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції CSD19503KCS за ціною від 55.48 грн до 186.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19503KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CSD19503KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD19503KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.13 грн |
| 50+ | 88.35 грн |
| 100+ | 79.54 грн |
| 500+ | 60.15 грн |
| 1000+ | 55.48 грн |
| CSD19503KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
MOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)