CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 133.33 грн |
| 10+ | 81.74 грн |
| 14+ | 70.63 грн |
| 37+ | 67.46 грн |
| 100+ | 65.08 грн |
| 500+ | 64.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V.
Інші пропозиції CSD19503KCS за ціною від 57.74 грн до 240.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD19503KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19503KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19503KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19503KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19503KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19503KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |