CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.79 грн |
8+ | 111.88 грн |
20+ | 105.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD19505KCS за ціною від 89.5 грн до 224.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD19505KCS Код товару: 113190 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |