CSD19505KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.52 грн |
| 50+ | 148.34 грн |
| 100+ | 134.47 грн |
| 500+ | 103.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19505KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19505KCS за ціною від 114.55 грн до 360.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19505KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD19505KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19505KCS THT N channel transistors |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
CSD19505KCS Код товару: 113190
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19505KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |