CSD19505KCS

CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.79 грн
8+ 111.88 грн
20+ 105.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції CSD19505KCS за ціною від 89.5 грн до 224.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.27 грн
50+ 157.99 грн
100+ 135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.74 грн
3+ 184.17 грн
8+ 134.26 грн
20+ 126.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.58 грн
10+ 199 грн
50+ 141.88 грн
100+ 125.31 грн
250+ 119.34 грн
1000+ 92.82 грн
2500+ 89.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+224.61 грн
10+ 217.92 грн
100+ 211.22 грн
500+ 189.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD19505KCS CSD19505KCS
Код товару: 113190
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
CSD19505KCS CSD19505KCS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній