CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 363.81 грн |
| 5+ | 352.28 грн |
| 10+ | 341.63 грн |
| 50+ | 306.52 грн |
| 100+ | 273.81 грн |
| 250+ | 263.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19506KCS за ціною від 189.05 грн до 481.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19506KCS THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |