Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19506KCS
CSD19506KCS

CSD19506KCS Texas Instruments

TexasInstruments.pdf
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19506KCS Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції CSD19506KCS за ціною від 164.99 грн до 390.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD19506KCS CSD19506KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
50+199.28 грн
100+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.07 грн
5+307.66 грн
10+275.45 грн
50+217.63 грн
100+193.99 грн
250+192.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS CSD19506KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.62 грн
10+308.03 грн
100+216.77 грн
500+192.61 грн
1000+164.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+337.84 грн
50+199.28 грн
100+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+339.07 грн
5+307.66 грн
10+275.45 грн
50+217.63 грн
100+193.99 грн
250+192.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+390.62 грн
10+308.03 грн
100+216.77 грн
500+192.61 грн
1000+164.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.