CSD19506KCS Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 220.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19506KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3.
Інші пропозиції CSD19506KCS за ціною від 187.86 грн до 344.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19506KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
CSD19506KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
CSD19506KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD19506KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.92 грн |
| 50+ | 203.46 грн |
| 100+ | 187.86 грн |
| CSD19506KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CSD19506KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)