CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 328.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19506KCS за ціною від 182.08 грн до 431.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |