CSD19531KCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.93 грн |
| 10+ | 115.48 грн |
| 25+ | 92.88 грн |
| 50+ | 83.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19531KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції CSD19531KCS за ціною від 62.97 грн до 195.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19531KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD19531KCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
CSD19531KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD19531KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 158.16 грн |
| 100+ | 122.84 грн |
| 500+ | 99.81 грн |
| CSD19531KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.52 грн |
| 50+ | 92.69 грн |
| 100+ | 83.40 грн |
| 500+ | 62.97 грн |
| CSD19531KCS |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET
MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)