Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT Texas Instruments

getliterature.pdf Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19531Q5AT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD19531Q5AT за ціною від 66.44 грн до 263.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+105.57 грн
500+85.05 грн
750+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.32 грн
10+101.03 грн
26+95.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.39 грн
10+138.18 грн
100+101.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-CSD19531Q5A
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.45 грн
10+153.69 грн
100+98.51 грн
500+76.21 грн
1000+66.97 грн
10000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.78 грн
10+125.90 грн
26+114.55 грн
250+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.00 грн
10+170.48 грн
100+125.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.