CSD19531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 91.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD19531Q5AT за ціною від 57.26 грн до 166.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19531Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V |
на замовлення 5902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19531Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET |
на замовлення 13740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19531Q5AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD19531Q5AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |