CSD19532KTT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+81.86 грн
1000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19532KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19532KTT за ціною від 66.48 грн до 233.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD19532KTT CSD19532KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.83 грн
5+172.84 грн
10+153.73 грн
25+130.46 грн
100+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.30 грн
100+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt MOSFETs CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.57 грн
10+149.25 грн
100+90.43 грн
500+73.18 грн
1000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+222.83 грн
5+172.84 грн
10+153.73 грн
25+130.46 грн
100+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.45 грн
10+140.30 грн
100+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.57 грн
10+149.25 грн
100+90.43 грн
500+73.18 грн
1000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.