Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19532KTT
CSD19532KTT

CSD19532KTT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+75.47 грн
1000+68.56 грн
1500+68.18 грн
2500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19532KTT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V.

Інші пропозиції CSD19532KTT за ціною від 70.97 грн до 219.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.07 грн
5+146.78 грн
9+112.38 грн
23+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.95 грн
10+133.02 грн
100+96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.48 грн
5+182.91 грн
9+134.86 грн
23+127.52 грн
250+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt MOSFETs CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.19 грн
10+156.98 грн
100+100.55 грн
500+74.12 грн
1000+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.