CSD19532KTTT Texas Instruments
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 119.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19532KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19532KTTT за ціною від 88.27 грн до 294.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
 MOSFETs 100V N-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595-CSD19532KTT |
на замовлення 14753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V |
на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V |
на замовлення 6634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19532KTTT SMD N channel transistors |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
CSD19532KTTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товару немає в наявності |