Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD19532Q5B

CSD19532Q5B

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
Код товару: 135706
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD19532Q5B за ціною від 61.51 грн до 239.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.91 грн
5000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT
на замовлення 17150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+138.14 грн
100+82.84 грн
500+69.72 грн
1000+67.10 грн
2500+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+138.28 грн
100+95.72 грн
500+72.78 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B CSD19532Q5B TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.20 грн
10+155.44 грн
100+107.92 грн
500+84.51 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, VSON-8
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
500+75.53 грн
1000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
CSD19532Q5B
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+67.91 грн
5000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
CSD19532Q5B
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT
на замовлення 17150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.04 грн
10+138.14 грн
100+82.84 грн
500+69.72 грн
1000+67.10 грн
2500+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
CSD19532Q5B
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+220.56 грн
10+138.28 грн
100+95.72 грн
500+72.78 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
CSD19532Q5B
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+239.20 грн
10+155.44 грн
100+107.92 грн
500+84.51 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532Q5B suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, VSON-8
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+96.65 грн
500+75.53 грн
1000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.