CSD19532Q5B Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 74.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19532Q5B Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD19532Q5B за ціною від 68.80 грн до 246.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
на замовлення 6147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD19532Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
CSD19532Q5B Код товару: 135706
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
CSD19532Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 100A; VSON-CLIP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
товару немає в наявності |