CSD19532Q5BT Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 92.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19532Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19532Q5BT за ціною від 78.48 грн до 195.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.9 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 5855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm |
товар відсутній |